სათაური
სილიკონის გამოსხივების სენსორი M&T 0-10V
განცხადების ID
5005637
მობ. ტელ.
განთავსების თარიღი
26.01.2026
ქალაქი/რაიონი
თბილისი
აღწერა
მზის მოდულის სახით აწყობილი – ადვილად შედარებადი ფოტოელექტრული სისტემების ენერგომოხმარებასთან და სისტემის მუშაობასთან
უჯრედის ტემპერატურის დამატებითი ვარიანტი, როგორც მოდულის ტემპერატურის პირდაპირ გაზომვის ალტერნატივა
გამომავალი სიგნალი: 0 … 10 V გამოსხივებისა და უჯრედის ტემპერატურისთვის
სილიკონის გამოსხივების სენსორები წარმოადგენენ ეკონომიურ, მაგრამ გამძლე და საიმედო გადაწყვეტას გამოსხივების გაზომვისთვის. ფოტოელექტრული მოდულის შესაბამისი სენსორული ელემენტის კონსტრუქციის საფუძველზე, ისინი იდეალურია ფოტოელექტრული სისტემების მონიტორინგისთვის. განსაკუთრებით სპექტრული რეაქცია, რომელიც შედარებადია ფოტოელექტრულ მოდულებთან, ასევე მსგავსი დახრილობის შეცდომა (დაცემის კუთხის მოდიფიკატორი), საშუალებას იძლევა ფოტოელექტრული ენერგიის გამომუშავების ზუსტი ანალიზი Si სენსორის მონაცემების გამოყენებით.
უჯრედის ტემპერატურის დამატებითი ვარიანტი, როგორც მოდულის ტემპერატურის პირდაპირ გაზომვის ალტერნატივა
გამომავალი სიგნალი: 0 … 10 V გამოსხივებისა და უჯრედის ტემპერატურისთვის
სილიკონის გამოსხივების სენსორები წარმოადგენენ ეკონომიურ, მაგრამ გამძლე და საიმედო გადაწყვეტას გამოსხივების გაზომვისთვის. ფოტოელექტრული მოდულის შესაბამისი სენსორული ელემენტის კონსტრუქციის საფუძველზე, ისინი იდეალურია ფოტოელექტრული სისტემების მონიტორინგისთვის. განსაკუთრებით სპექტრული რეაქცია, რომელიც შედარებადია ფოტოელექტრულ მოდულებთან, ასევე მსგავსი დახრილობის შეცდომა (დაცემის კუთხის მოდიფიკატორი), საშუალებას იძლევა ფოტოელექტრული ენერგიის გამომუშავების ზუსტი ანალიზი Si სენსორის მონაცემების გამოყენებით.
- 94 ნახვა